Agência FAPESP – Uma oportunidade de pós-doutorado em dispositivos semicondutores com bolsa da FAPESP está disponível pelo projeto “Mosfets implementados com os estilos de leiaute de porta da segunda geração para potencializar o desempenho elétrico em ambientes extremos de temperatura, das radiações ionizantes e dos campos magnéticos externos”. O prazo de inscrição vai até 20/07.
O projeto é desenvolvido no Centro Universitário FEI, em São Bernardo do Campo.
São requisitos da vaga: experiência em simulações numéricas tridimensionais; conhecimento em caracterização elétrica experimental de Mosfets de 100 K a 573 K; domínio de microprovador Cascade Microtech, MMR’s Variable Temperature Micro Probe Systems, 4Ch Micro Probe da Nextron, Keithley 4200-SCS; conhecimento em testes de radiação com efeitos ionizantes por raios X em Mosfets, utilizando o difratômetro de raios X Shimadzu XRD-6100; e histórico consistente de publicações em periódicos de alto fator de impacto.
Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: www.FAPESP.br/oportunidades/8335/.
A oportunidade de pós-doutorado está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 12.000,00 mensais e Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.
Caso o bolsista de PD resida em domicílio fora da cidade na qual se localiza a instituição-sede da pesquisa e precise se mudar, poderá ter direito a um auxílio-instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em www.FAPESP.br/bolsas/pd.
Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em www.FAPESP.br/oportunidades.
